MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的基本知識(shí)
1.G柵極 D漏極 S源極 這圖里面的MOS管是N溝道的，工作原理:只要G上的電壓比S上的電壓大5-6V，MOS管就開(kāi)始導(dǎo)通，就有電流從S流向D.2.G接高低電平（確切說(shuō)是驅(qū)動(dòng)電壓），D接電源（高電位），S接下面的負(fù)載或低電位。3.可以控制的開(kāi)關(guān)電路*大電壓是多少取決于MOSFET的*高耐壓值，耐壓值有多大，就能控制多大電壓的電路。
2.功率MOSFET的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開(kāi)，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面 當(dāng)UGS大于UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。
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