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MST1692是集成了60V耐壓、18mΩ內(nèi)阻MOSFET的同步整流二極管，用于替換反激式轉(zhuǎn)換器的整流二極管，能夠顯著減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。IC通過(guò)檢測(cè)集成MOSFET的源漏電壓來(lái)決定其開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

MST1692能夠兼容非連續(xù)或準(zhǔn)諧振工作模式的反激轉(zhuǎn)換器。

MST1692能夠支持DCM和Quasi-Resonant反激轉(zhuǎn)換器，能夠提高系統(tǒng)的效率。次級(jí)邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先通過(guò)功率MOSFET的體二極管，電路檢測(cè)到功率MOSFET的漏端電壓比其源端電壓低約0.2V時(shí)，立即打開(kāi)功率MOSFET，降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗。當(dāng)Ton超過(guò)約640ns時(shí)，功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的邏輯上拉會(huì)關(guān)閉，而后線性驅(qū)動(dòng)器介入工作。當(dāng)通過(guò)功率MOSFET的電流下降使得漏端電壓比源端電壓低約30mV時(shí)，線性驅(qū)動(dòng)器便會(huì)通過(guò)降低MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓V_DRIVER使MOSFET的阻抗增大，從而將VD端電壓維持在-30mV左右。當(dāng)電流接近0時(shí)，線性驅(qū)動(dòng)器的調(diào)節(jié)無(wú)法將VD電壓繼續(xù)維持在-30mV，VD電壓會(huì)繼續(xù)上升。當(dāng)其電壓達(dá)到-12mV左右時(shí)，芯片會(huì)立即通過(guò)邏輯將功率MOSFET完全關(guān)斷。功率MOSFET關(guān)閉后，MD1692需要檢測(cè)到SR端電壓達(dá)到約6V以上，且持續(xù)時(shí)間大于0.3us后，才認(rèn)為是一次有效的原邊導(dǎo)通；而后SR下降到-0.2后立刻打開(kāi)MOS管；如未檢測(cè)到有效的原邊導(dǎo)通，但SR仍低于-0.2V，則需要等待大約1.7us后才打開(kāi)MOS管。這樣可以在一定程度上避免因諧振干擾造成誤動(dòng)作。

u  消隱功能

       MST1692在功率MOSFET開(kāi)啟和關(guān)閉后都有消隱功能，確保無(wú)論開(kāi)關(guān)都會(huì)持續(xù)一定時(shí)間。其中開(kāi)啟消隱時(shí)間為0.64us，關(guān)閉消隱時(shí)間設(shè)定為1.8us。

u  欠壓保護(hù)功能 (UVLO)

       當(dāng)VCC降低到V_UVLO2以下時(shí)，電路處于睡眠模式，MOSFET不會(huì)被打開(kāi)。在系統(tǒng)上電后的一段時(shí)間，由于VCC電壓未達(dá)到V_UVLO1，功率MOSFET不會(huì)被打開(kāi)，完全由功率MOSFET的體二極管進(jìn)行續(xù)流，直到VCC電壓超過(guò)V_UVLO1，芯片開(kāi)始正常開(kāi)關(guān)。